山东大学学报(理学版) ›› 2014, Vol. 49 ›› Issue (1): 59-64.doi: 10.6040/j.issn.1671-9352.0.2013.371
黄多辉, 王藩侯, 袁娣
HUANG Duo-hui, WANG Fan-hou, YUAN Di
摘要:
对Sn原子采用SDBccpVTZ基组,O原子采用6311++G**基组,利用密度泛函中的B3P86方法对SnO分子的基态结构进行了优化计算,并研究了外场对SnO基态分子的键长、总能、电荷布居分布、能级分布、电偶极矩、谐振频率和红外谱强度的影响。并利用杂化密度泛函理论(CIS-DFT)方法研究了外电场对SnO分子由基态到前6个单重激发态跃迁规律的影响。结果表明,在所加电场范围内,随着正向电场F的逐渐增大,基态分子的键长Re先减小后增大,在F=0.04a.u.时取得最小值0.1796nm;总能先增大后减小,其在F=0.03a.u.时取得最大值-2144.8396eV;电偶极矩则先减小后增大,在F=0.03a.u.时取得最小值0.2124Debye;SnO基态分子的最高已占据轨道(HOMO)能量EH和谐振频率逐渐增大;红外光谱强度、分子的最低未占空轨道(LUMO)能量EL和能隙Eg则逐渐减小。外电场的大小与方向对跃迁电偶极矩、跃迁波长、激发能和振子强度均有很大影响。
中图分类号:
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